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μ PA2790GR
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
50
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10000
40
30
20
10
0
V GS = 4.0 V
4.5 V
10 V
I D = 3 A
Pulsed
1000
100
10
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C iss
C oss
C rss
-50
0
50
100
150
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - °C
V DS - Drain to Source Voltage - V
100
SWITCHING CHARACTERISTICS
<R>
30
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
15
V DD = 24 V
t f
t d(off)
20
15 V
6V
10
10
t d(on)
t r
V DS = 15 V
10
V GS
5
1
0.1
1
10
V GS = 10 V
R G = 10 Ω
100
0
0
V DS
5
10
I D = 6 A
15
0
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
100
10
V GS = 10 V
100
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
1
0.1
0V
10
0.01
Pulsed
1
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
0
0.5
1
0.1
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet G16954EJ3V0DS
I F - Diode Forward Current - A
7
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